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Mitutoyo 三丰明视场用近紫外区校正物镜 M Plan Apo NUV / M Plan Apo NUV HR

半导体量测 先进封装测试 显示面板检测 PCB线路板检测 工业高倍显微物镜 紫外相机

M Plan Apo NUV(标准型,明视场近紫外校正)
核心特点:无限远校正、平场复消色差、355–620nm(近紫外 - 可见光)色差校正、长工作距离,适配 355nm 激光加工与明视场观察。
M Plan Apo NUV HR(高分辨率型)
核心特点:标准 NUV 的高分辨率版,NA 更高、分辨率提升约 50%,355–620nm 校正,适配高精度近紫外成像。

半导体量测 先进封装测试 显示面板检测 PCB线路板检测 工业高倍显微物镜 紫外相机

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一、M Plan Apo NUV(标准型,明视场近紫外校正)

核心特点:无限远校正、平场复消色差、355–620nm(近紫外 - 可见光)色差校正、长工作距离,适配 355nm 激光加工与明视场观察。
型号货号倍率NA工作距离 WD (mm)焦距 f (mm)分辨率 R (μm)焦深 DF (μm)φ24 视场 (mm)重量 (g)
M Plan Apo NUV 10×      378-809-5   10×      0.30     30.5          201.03.0φ2.4310
M Plan Apo NUV 20×378-817-820×0.4217.0100.71.7φ1.2350
M Plan Apo NUV 50×378-818-850×0.4513.040.651.5φ0.48390
M Plan Apo NUV 100×378-819-4100×0.5011.020.601.1φ0.24380
  • 安装:M26×36TPI,齐焦距离 95mm。
  • 适用:半导体 / 液晶面板缺陷修复、355nm 激光加工、近紫外明视场观察。

二、M Plan Apo NUV HR(高分辨率型)

核心特点:标准 NUV 的高分辨率版,NA 更高、分辨率提升约 50%,355–620nm 校正,适配高精度近紫外成像。
型号货号倍率NAWD(mm)f(mm)R(μm)DF(μm)φ24 视场 (mm)重量 (g)
M Plan Apo NUV HR 50×   378-888-6    50×     0.65     10.0            4            0.42        0.65         φ0.48                    500
  • 适用:半导体微细结构检测、高精度 355nm 激光加工、近紫外高分辨率显微。

三、共同规格(两款通用)

  • 校正波段:355–620nm(近紫外至可见光),设计波长 355nm、532nm。
  • 光学设计:无限远校正、平场复消色差(Plan Apo),无盖玻片设计。
  • 机械接口:M26×36TPI,齐焦距离 95mm,最大直径 φ34–39mm。
  • 适配显微镜:VMU/FS-70/FS70L/VMU-L 系列。
  • 工作环境:温度 - 5°C~+45°C,湿度 20%–80%。

四、选型速览

  • 标准近紫外观察 / 激光加工:选 M Plan Apo NUV(10×/20×/50×/100×,长 WD)。
  • 高分辨率近紫外成像:选 M Plan Apo NUV HR 50×(NA0.65,分辨率 0.42μm)。


Mitutoyo 三丰明视场用近紫外区校正物镜 M Plan Apo NUV / M Plan Apo NUV HR
M Plan Apo NUV(标准型,明视场近紫外校正)
核心特点:无限远校正、平场复消色差、355–620nm(近紫外 - 可见光)色差校正、长工作距离,适配 355nm 激光加工与明视场观察。
M Plan Apo NUV HR(高分辨率型)
核心特点:标准 NUV 的高分辨率版,NA 更高、分辨率提升约 50%,355–620nm 校正,适配高精度近紫外成像。
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